-
1 расплав для выращивания эпитаксиального слоя
Electronics: growth meltУниверсальный русско-английский словарь > расплав для выращивания эпитаксиального слоя
-
2 среда для выращивания
[lang name="Russian"]выращивание скрытых n+-слоев — pre-epitaxial growth
[lang name="Russian"]рост кристалла; выращивание кристалла — crystal growth
-
3 расплав
зона расплава; зона пластификации — melt zone
-
4 загазованный расплав
зона расплава; зона пластификации — melt zone
Русско-английский новый политехнический словарь > загазованный расплав
-
5 эпитаксиальное выращивание
рост кристалла; выращивание кристалла — crystal growth
выращивание скрытых n+-слоев — pre-epitaxial growth
Русско-английский большой базовый словарь > эпитаксиальное выращивание
-
6 показатель текучести расплава
[lang name="Russian"]зона расплава; зона пластификации — melt zone
Русско-английский научный словарь > показатель текучести расплава
-
7 скорость течения расплава
[lang name="Russian"]зона расплава; зона пластификации — melt zone
Русско-английский научный словарь > скорость течения расплава
-
8 образование расплава
зона расплава; зона пластификации — melt zone
Русско-английский новый политехнический словарь > образование расплава
См. также в других словарях:
Полупроводниковые материалы — Для улучшения этой статьи желательно?: Викифицировать статью. Полупроводниковые материалы вещества с чётко в … Википедия
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ — дозированное введение в полупроводник примесей или структурных дефектов с целью изменения их электрич. свойств. Наиб. распространено примесное Л. п. Электрич. свойства легированных полупроводников зависят от природы и концентрации вводимых… … Физическая энциклопедия